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第三代半導體可靠性驗證與評價可加急檢測

簡要描述：

第三代半導體作為一種理想的半導體材料，在新一代信息技術、新基建等領域得到了愈發廣泛的應用。對于國內企業而言，要獲取市場信任，檢測是證明第三代半導體質量與可靠性的可行手段，同時也是提高其質量可靠性的重要保障。廣電計量第三代半導體可靠性驗證與評價可加急檢測特意推出第三代半導體可靠性驗證與評價服務，助力企業產品高效發展。

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更新日期：2024-09-04

價格：

詳細介紹

品牌	廣電計量	加工定制	是
服務區域	全國	服務周期	常規3-5天
服務類型	元器件篩選及失效分析	服務資質	CMA/CNAS認可
證書報告	中英文電子/紙質報告	增值服務	可加急檢測
是否可定制	是	是否有發票	是

第三代半導體可靠性驗證與評價可加急檢測服務背景

在第三代半導體的代表中，碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）目前是技術較為成熟的材料，*的性能使其在新一代運動通信、新能源并網、智能電網、高速軌道交通、新能源汽車、消費類電子等領域具有廣泛的應用前景。SiC、GaN器件憑借杰出的系統性能，給許多應用帶來更高的效率和功率密度，以及更低的系統成本。然而，與所有的新技術一樣，SiC、GaN器件必須全面嚴格地遵循技術開發和產品質量檢驗程序。

第三代半導體可靠性驗證與評價可加急檢測服務內容

廣電計量圍繞JEDEC系列標準，從三方面進行技術能力布局：

1、識別潛在的失效模式和失效機制，并根據目標壽命設計確認測試；

2、將樣品置于適當的可靠性應力下，以加速激發潛在的失效機制；

3、完成加速應力后，對樣品進行測試，以確定其性能是否仍可接受。

針對SiC分立器件和模塊，廣電計量參照JEDEC、AECQ101及AQG324標準進行檢測驗證，能力不僅覆蓋用于驗證傳統Si器件長期穩定性的所有方法，還開發了針對SiC器件不同運行模式的特定試驗，見表1。

表1 SiC器件特定可靠性試驗

試驗	試驗條件
HV-H3TRB	VDS=0.8VDSmax，Ta=85°C, RH=85%，t≥1000h
HTRB和負電壓	VDS=VDSmax，Tvj=175°C，VG =-10 V，t≥1000h
動態H3TRB	VDS>0.5VDSmax，dVDS/dt(at DUT)>30V/ns, 15kHz≤f≤25 kHz,Ta=85°C, RH = 85%，t≥1000h
動態反向偏壓（DRB）	VDS≥0.8VDSmax，dVDS/dt (at DUT)=50V/ns，f ≥25 kHz，Ta= 25°C，t≥1000h
動態柵偏（DGS）	次數≥1011，dVGS/dt =1 V/ns，f ≥50 kHz，VGSoff= VGSmin和VGSon= VGSmax，Ta=25°C
HTFB	SiC體二極管雙極退化

CaN器件的質量及可靠性驗證以JEDEC和AECQ101為基準進行，見表2，并針對GaN器件和Si基器件之間的差異實施表3試驗。

表2 通用可靠性試驗

試驗	試驗條件
HTRB	Tj=150°C， VDS=0.8 VDSmax，t≥1000h
HTGB	Tj=150°C，VGS=±100%，t≥1000h
H3TRB	Tj=85°C，RH=85%，VDS=0.8 VDSmax，t≥1000h
TC	-40°C to +125°C，≥1000cycles
HTS	Ta=150°C，t≥1000h
IOL	DTj=100°C，2min on，2min off，≥5k cycles
ESD	HBM+CDM
MSL3	Ta=60°C，RH=60%，t=40h，3x reflow cycles